当前手机存储技术发展迅速，尤其是近几年来，闪存技术进步显著，无论是传输速度还是存储容量，这两个对消费者至关重要的性能指标都有了大幅提升。铠侠作为存储领域的佼佼者，已宣布推出UFS 4.1嵌入式闪存样品，此举旨在为新一代移动设备提供技术支持。相较于现行的UFS闪存，UFS 4.1在随机读写性能方面实现了显著进步，这将使得手机等日常应用运行更为顺畅。
铠侠指出，铠侠UFS 4.1闪存选用了铠侠最新研发的BiCS8 FLASH 3D闪存芯片，提供了256GB、512GB和1TB三种容量选项。相较于上一代产品，其随机写入速度有了显著提升，增幅约为30%；而随机读取速度的进步更为显著，提升了大约45%。与随机访问相比，顺序访问的读写性能提升并不显著，其提升范围大概仅为20%。
铠侠UFS 4.1闪存具备延迟垃圾收集功能，这使设备运行更为顺滑。此外，铠侠强调UFS 4.1闪存既支持高速数据传输，又具备低功耗特性。它还能有效延长手机的使用时间，并降低手机制造商在散热器设计上的挑战。
铠侠UFS 4.1闪存现已成功推出样品，据预测，今年下半年推出的旗舰手机很可能将搭载这款闪存芯片，这将显著提升存储性能。与此同时，我们也可能看到一些手机制造商大肆宣传自家存储芯片，以吸引更多消费者关注并购买。
