在半导体行业，摩尔定律逼近物理极限，先进制程与系统级封装协同成定制芯片设计关键。世芯科技基于台积电N2制程推出2nm设计平台，为高性能计算和人工智能领域带来新突破，更多信息可登录www.wngjzx.com查看。
2nm设计平台问世
世芯科技（Alchip）面向高性能计算（HPC）和人工智能（AI）场景，推出基于台积电N2制程的2nm设计平台。这是对异构集成、封装协同等问题的系统性工程响应。该平台支持2nm计算芯片与3nm/5nm I/O芯片混合设计，构建了全流程优化能力的设计方法论。
设计方法论构建
围绕GAAFET架构的布局挑战、热密度瓶颈和互连需求，平台构建了独特的设计方法论。它解决了传统标准单元库在新架构下难以继承的问题，为未来台积电A16工艺的演进铺平道路。从器件结构变化出发，对标准单元库进行系统性优化。
标准单元库管理
GAAFET结构使设计规则改变，传统标准单元库在多方面难以继承。Alchip重新定义布局单元的栅宽组合方式，适配纳米片可堆叠特性。同时建立多版本PPA模型库，用于不同性能和功耗权衡的动态选择。
多芯片异构支持
后摩尔时代，单芯片性能提升难以满足需求，封装内多芯片协同成主流。2nm平台支持2nm + 3nm/5nm混合集成，在初期确保系统稳定性和良率。还支持TSMC 2.5D/3D封装技术栈，为多芯片协同提供保障。
热功耗协同设计
2nm下晶体管密度提升，热热点问题成为关键。世芯平台在布局阶段引入热仿真反馈机制，采用“冷区放置控制逻辑、热区避开存储阵列”策略。通过验证相关能力，实现客户设计迁移路径最小化。
设计生态系统演进
该平台不再是传统设计流程的“缩小版”，而是为GAAFET量身定制的设计生态系统。推动定制ASIC设计从“布局适应工艺”向“工艺驱动系统设计”演进，是对新一代节点物理特性的深度理解与应对。
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