现如今，HBM 内存技术发展备受关注，韩国一学者介绍的从 HBM4 到 HBM8 长期路线图引发热议，这路线图究竟藏着啥秘密？
卓越学者引领前瞻
KAIST 韩国科学技术院下属 Teralab 的学者 Kim Joungho，被部分业内人士尊称为“HBM 之父”。在 6 月 11 日的讲座中，他揭开了从 HBM4 直至 HBM8 的长期路线图神秘面纱。此人在业内声望颇高，其研究成果和见解对整个内存技术领域有着深远影响。
6 月 13 日 IT 之家的报道一经发出，立刻吸引众多目光聚焦。业界众多专家和相关企业时刻关注动态，看看这位大师究竟讲了啥新潮的理论和观点，以便让自己在激烈的市场竞争中取得优势。
技术参数逐步升级
教授着重提到 HBM 内存的的关键参数会递进式攀升。比如 I/O 数目将在 HBM5、HBM7、HBM8 来三次倍增。堆叠层数、单层容量、引脚速率等指标也是节节高升，好比是一层一层努力向上攀登高峰。
键合技术从现有的微凸块转变成无凸块铜对铜的直接键合。这对于 HBM 内存技术来讲犹如一场大革命，技术工艺不断地改进和完善。与此同时，面临一个问题，随着技术进化，HBM 堆栈的发热也是逐步往上涨。在追求高性能的这条道路上，散热问题俨然成了“绊脚石”。
系统层次获得扩展
传统 HBM 堆栈仅含有定制的 DRAM 芯片，但在 HBM 系统里 HBM Base Die 具备集成 LPDDR 控制器的能力。由此，可以为存储系统添一个全新的层次，有效运用之前闲置资源。就像是整理一个旧仓库，把之前杂乱无章还没利用的空间，巧妙规划之后合理利用起来。
而且，这种创新能够大大提高整体性能和效率。后续存储系统在资源的应用上更加科学和高端。在存储系统的技术革新之中，无疑是带来新希望。想象有一个新的帮手进入我们工作场所之中，让我们能够更好利用资源并且把手头的事情做得更好。
计算能力有所突破
等到发展到 HBM5 的时候，存储堆栈加入 NMC 近内存计算区块。这样一来传输带宽能够减少，大幅提升计算操作本地化程度。能够让整个系统的性能和能效有很大的提升，如果我们能够把一些复杂运算操作放在离“家更近”的地方去完成，会节省资源和时间。
从目前的趋势来看之后相关的 AI 行业、大数据分析等领域会得到更加显著发展。让这些对计算能力和效率有很高要求的行业迎来新机遇。它们可以借助更加先进存储和计算能力去处理复杂模型和庞大的数据集。
物理造型发生改变
目前 HBM 采用是 1 个 Base Die 对应 1 个 DRAM 堆栈的单塔结构。未来 HBM6 会进化成由单一大型 Base Die 配合 2 个 DRAM 堆栈，形成双塔物理造型很像是从一座单体建筑变成摩天大楼，提升存储容量和系统性能。
这种改变不只是视觉上带来震撼更加会对以后的计算芯片封装发展有着推动的作用。相关市场上，存储芯片会有更加大的空间，可以在更紧凑空间内去集成更多功能和提升整体的表现。系统设计师在构建硬件系统的时候可以运用更加紧凑和高性能模块设计产品。
未来理念继续延展
HBM7 重点围绕着多级存储系统、多功能桥片和嵌入式冷却系统。多级存储系统由 HBM 和 HBF 等构成满足不同场景多样化需求。多功能桥片能够改善信号、增加额外功能。解决发热问题还引入嵌入式冷却系统。对于高性能计算来说是保障稳定。
到 HBM8 的时候，不仅要用封装一面去存放 HBM 内存，封装的背面同样会用于存储扩展、并且散热则直接集成在里面实现。在以后芯片复合体存储能力简直没有了边界，对未来大数据爆炸时代将会迎来曙光。那么你觉得 HBM 内存技术未来的哪一项发展将最为关键？快给文章点赞分享并在评论区写下你的想法。
